HNP32N055ILE_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有30A的持續(xù)漏極電流能力和60V的漏源電壓耐受值，適用于需要高效率開關(guān)操作的應(yīng)用場景。其導(dǎo)通電阻僅為22毫歐姆，確保了在工作時維持較低的功耗與溫度上升。柵源電壓范圍為20V，提供了良好的驅(qū)動兼容性。憑借這些特性，該MOSFET非常適合于電源管理、信號轉(zhuǎn)換及放大等場合，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定的同時實(shí)現(xiàn)高效能表現(xiàn)。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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