HSQ1563AEHT1GE3_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOT-363 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:0.8A 參數2:電壓VDSS:20V 參數3:RDON:320mR 參數4:溝道類型:N+P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款場效應管(MOSFET)屬于NP溝道類型,具備0.8A的最大漏極電流(ID),能夠承受高達20V的漏源電壓(VDSS)。其低至320毫歐的導通電阻(RDSON)有助于減少能量損耗。該MOSFET支持±12V范圍內的柵源電壓(VGS),適合用于多種電子設備中的信號放大、邏輯電路或開關應用,同時在小型化的電源管理和消費類電子產品中的性能表現尤為突出。
