HAO5800E_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款NN溝道場效應管(MOSFET)具有0.1A的最大連續漏極電流ID，適用于低功率電路設計。其額定漏源電壓VDSS達到60V，導通電阻RDON為1300mΩ，確保了在有限電流條件下的穩定性能。柵源電壓VGS工作范圍是-20V至@0V，適合需要精確控制的應用場合。該MOSFET廣泛應用于消費電子產品、小型家用設備及各種便攜式裝置中的開關控制與電源管理功能。
