HNTMFS4C08NT1G_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:90A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:3.5mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具有90安培的最大連續漏極電流和30伏特的漏源擊穿電壓，適合應用于需要高效能和高可靠性的電路中。其極低的導通電阻僅為3.5毫歐，顯著降低了功率損耗，提升了系統的整體效率。配合20伏特的柵極閾值電壓，確保了快速而精確的開關控制能力。該MOSFET適用于各種電源轉換、信號處理等應用場景，能夠滿足復雜電子系統對元件性能的嚴格要求。
