HSiSH101DN_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管（MOSFET），具備70A的連續漏極電流（ID）和30V的漏源擊穿電壓（VDSS），適用于中高功率電源管理系統。導通電阻低至6.5mΩ（RDON），可有效降低導通損耗，提高系統效率。柵源電壓（VGS）最大支持20V，確保穩定控制性能。該器件廣泛應用于電源轉換、負載開關、電池管理及各類高效能電子設備中，提供可靠且高效的功率控制解決方案。
