HHUF76429D3ST_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）支持高達(dá)30A的連續(xù)排水電流（ID），并且能夠在60V的漏源電壓（VDSS）條件下正常工作。其導(dǎo)通電阻（RDSON）低至22毫歐，在20V的柵源電壓（VGS）控制下展現(xiàn)出良好的導(dǎo)電性能。該MOSFET適用于多種消費電子產(chǎn)品的設(shè)計，如適配器、充電器等場合的高效電源管理，以及需要低損耗切換的應(yīng)用，確保了電路在高頻操作下的穩(wěn)定性和效率。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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