HSTD30NF06LAG_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備卓越的電氣性能，其最大連續(xù)漏極電流ID可達(dá)30A，能夠承受高達(dá)60V的漏源電壓VDSS。該器件擁有低至22mΩ的導(dǎo)通電阻RDON，確保了在高負(fù)載下的高效能運(yùn)行。同時(shí)，它支持-20V到@0V的柵源電壓VGS范圍，適用于要求快速開關(guān)和良好熱性能的應(yīng)用場景。此MOSFET是電源管理、LED照明以及消費(fèi)電子等領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)電路控制與保護(hù)的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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