HIPD50N06S4L08ATMA2_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:6mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）擁有80安培的最大連續漏極電流和60伏特的漏源擊穿電壓，適用于需要高電流承載能力和良好耐壓性能的電路設計。其導通電阻僅為6毫歐，有效減少了工作時的熱量產生，提高了能量轉換效率。結合20伏特的柵極閾值電壓，確保了優秀的開關特性，適用于高頻開關電源、電池管理系統以及各類電子設備中的精密控制。該MOSFET憑借其出色的性能，成為實現高效、緊湊電路設計的理想選擇。
