HIRFZ48SPBF_TO-263_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:55V 參數(shù)3：RDON:9mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道MOSFET具備49A的連續(xù)漏極電流（ID）承載能力，以及55V的最大漏源耐壓（VDSS），適用于高功率密度的設(shè)計需求。其低至9毫歐的導(dǎo)通電阻（RDSON）有效降低了導(dǎo)通狀態(tài)下的功耗，優(yōu)化了電路效率。柵源電壓（VGS）最高可達(dá)20V，提供了靈活的驅(qū)動條件。該MOSFET適合用于高性能要求的開關(guān)電源、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及其他對效率敏感的應(yīng)用中，能夠幫助實現(xiàn)更緊湊、高效的電子設(shè)計方案。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
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