HTK11S10N1L_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:30A 參數2:電壓VDSS:100V 參數3:RDON:35mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管(MOSFET)具備30安培的最大連續漏極電流和100伏特的漏源擊穿電壓,確保了其在高功率應用中的穩定性能。其導通電阻僅為35毫歐,在大電流通過時能夠保持較低的發熱水平,提高了效率和可靠性。該MOSFET的柵極閾值電壓為20伏特,適用于需要快速開關響應的應用場合。此元件廣泛適用于電源管理、信號放大及各類電子設備中,是設計高性能電路的理想選擇。
