HAM2321P_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:48mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
分享到
產(chǎn)品介紹
-------<點(diǎn)擊了解更多 + 購(gòu)買>-------
此款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計(jì)精良，適用于多種電子設(shè)備。它支持的最大連續(xù)漏極電流為4.2A，適合中低功率應(yīng)用場(chǎng)景；最大漏源電壓達(dá)到20V，能夠在相對(duì)較低的電壓環(huán)境中穩(wěn)定運(yùn)行；其導(dǎo)通電阻為48mΩ，有助于減少工作時(shí)的能量損耗；柵源電壓范圍是12V，便于與各類控制電路相匹配。該產(chǎn)品非常適合用作電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載管理以及便攜式電子產(chǎn)品中的高效能組件。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
高新企業(yè)
