HNP23N06YDG_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:20mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道MOSFET場效應管，具有30安培的最大連續漏極電流（ID）和60伏特的漏源極擊穿電壓（VDSS），確保了其在高電流和高壓條件下的可靠工作。其導通電阻（RDS(ON)）僅為20毫歐，有助于減少發熱，提高電路效率。支持最高20伏特的柵源電壓（VGS），使得該元件能夠適應多種電路設計需求。適用于電源轉換、電池管理以及需要高性能開關控制的電子設備中。
