HSQ2301ES_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:2.3A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:120mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管（MOSFET）具有20V的漏源擊穿電壓（VDSS），能夠承受最高12V的柵源電壓（VGS）。其導通電阻（RDSON）僅為0.12Ω，在2.3A的電流下表現優異。此MOSFET適用于設計要求低損耗、高效率的應用中，如便攜式電子產品中的電源管理或消費類設備的信號開關等場合。其特性使其成為對功率密度敏感設計的理想選擇。
