HAOSS21115C_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:5A 參數2：電壓VDSS:20V 參數3：RDON:35mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款P溝道場效應管（MOSFET）具備20V的漏源最大電壓（VDSS）與12V的柵源電壓（VGS）。在5A的電流條件下，其導通電阻（RDSON）低至0.035Ω，有助于減少能量損耗。這款MOSFET適用于需要高效能和低熱耗散的設計中，例如在消費性電子產品內的電源路徑控制或者電池供電設備的負載開關電路中，均能發揮其優異性能，確保電路穩定可靠的同時提升整體系統的效率。
