HRJK0353DPA_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:55A 參數(shù)2:電壓VDSS:30V 參數(shù)3:RDON:4.7mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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該N溝道場效應(yīng)管(MOSFET)具備出色的性能參數(shù),最大漏極電流可達(dá)55A,能夠承受高達(dá)30V的漏源電壓。其導(dǎo)通電阻僅為4.7毫歐姆,確保了低功耗和高效能運(yùn)作。柵源電壓范圍為20V,適合在多種電子設(shè)備中作為開關(guān)或信號(hào)放大元件使用。憑借其緊湊的設(shè)計(jì)與優(yōu)良的熱性能,這款MOSFET是消費(fèi)電子產(chǎn)品、家用電器等領(lǐng)域的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠國際大廈2013-2014
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