HSUD20N1066L_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:20A 參數(shù)2：電壓VDSS:100V 參數(shù)3：RDON:80mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具有20A的最大工作電流（ID），能夠承受高達(dá)100V的漏源電壓（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為80毫歐，適合在柵源電壓（VGS）不超過20V的應(yīng)用環(huán)境中工作。憑借這些特性，此MOSFET適用于多種電子設(shè)備中的電源路徑控制，如家用電器內(nèi)部的電源管理系統(tǒng)、電池供電裝置的負(fù)載開關(guān)，以及通信設(shè)備中的電壓轉(zhuǎn)換電路，能夠有效提升系統(tǒng)的整體效率并減少能量損失。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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