HNVTFS5124PLTWG_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:70mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款P溝道MOSFET場效應管，具備20安培的最大連續漏極電流（ID）和60伏特的漏源極擊穿電壓（VDSS），確保了其在高電流和高壓環境下的穩定性能。其導通電阻（RDS(ON)）僅為70毫歐，在低阻抗條件下能有效減少功率損耗，提高轉換效率。該元件支持最高20伏特的柵源電壓（VGS），使得控制電路設計更加靈活。適用于各類電源管理和信號調節場合，如開關電源、電池管理系統及各種電子設備中的負載切換等。
