HFDD6637_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:80A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:5.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款P溝道場效應(yīng)管（MOSFET）具備80A的漏極電流（ID）承載能力，以及30V的最大漏源耐壓（VDSS）。其低至5.5毫歐的導(dǎo)通電阻（RDSON）使得在高功率密度設(shè)計中能夠有效降低能耗。器件支持最高25V的柵源電壓（VGS），增強了電路設(shè)計時的適用范圍。此MOSFET適用于各種需要精密電源管理與信號放大的電子裝置中，如日常家用電器或個人電子設(shè)備等。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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