HSTD30PF03LT4_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:40A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:18mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該P溝道場效應管(MOSFET)具有40A的持續漏極電流能力,能夠承受高達30V的漏源電壓。其導通電阻僅為18mΩ,有助于降低系統功耗。柵源電壓范圍為20V,確保了良好的開關特性與穩定性。適用于需要高效能、低損耗開關或線性應用的電路設計中,例如消費電子產品中的電源管理模塊,以及便攜式設備里的電池充電控制等場景。
