HFDS8958B_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOP-8 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:6A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:16mR 參數4：溝道類型:N+P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款場效應管（MOSFET）為NP溝道設計，具備6A的最大導通電流（ID/A），以及30V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其低至16毫歐姆的導通電阻（RDSON/mΩ），有助于減少能量損耗，提高系統的整體效率。該MOSFET支持±20V的柵源電壓（VGS/V），便于實現精確的驅動控制。適用于各類消費電子產品中，如適配器內的開關應用、電池供電設備的電源路徑管理以及其他需要高性能、低功耗特性的場合。
