HFDS8958B_SOP-8_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:SOP-8 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:3000/圓盤 參數1:電流ID:6A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:16mR 參數4:溝道類型:N+P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
該款場效應管(MOSFET)為NP溝道設計,具備6A的最大導通電流(ID/A),以及30V的最大漏源電壓(VDSS/V)。其低至16毫歐姆的導通電阻(RDSON/mΩ),有助于減少能量損耗,提高系統的整體效率。該MOSFET支持±20V的柵源電壓(VGS/V),便于實現精確的驅動控制。適用于各類消費電子產品中,如適配器內的開關應用、電池供電設備的電源路徑管理以及其他需要高性能、低功耗特性的場合。
