H2SK3018T106_SOT-323_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-323 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:1500mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）具備0.1A的連續漏極電流（ID），最大漏源電壓（VDSS）可達30V，導通電阻（RDS(on)）為1500毫歐，柵源電壓（VGS）范圍為20V。這些特性使其適用于多種電路設計中，如電源管理、信號切換等應用場景。其低導通電阻有助于減少功耗，提高效率，同時確保了良好的熱穩定性。該MOSFET的小信號開關性能優越，能夠快速響應，適合于精密控制領域。
