HTK50P04M1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:60A 參數2：電壓VDSS:40V 參數3：RDON:7.7mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具有60A的連續漏極電流（ID），適用于高電流需求的應用中。其最大工作電壓（VDSS）為40V，確保了在多種電壓環境下使用的安全性。導通電阻（RDSON）僅為7.7毫歐，在導通狀態下能有效降低能量損耗，提高系統的整體效率。柵源電壓（VGS）的最大值為20V，便于電路設計時的驅動控制。此MOSFET適用于需要高效能轉換與控制的場合，如電源管理模塊、便攜式設備充電電路等。
