HCSD19537Q3_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
分享到
產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備高性能特點，其連續排水電流ID可達80A，適用于大電流需求的電路設計；漏源擊穿電壓VDSS為100V，確保了在高壓環境下的可靠性；導通狀態下，其漏源電阻RDSON僅為6.4毫歐，有助于減少能量損耗，提高效率。此MOSFET支持最大柵源電壓VGS為20V，適用于各種高功率密度轉換器、電源開關及電池管理系統等領域中的精密控制應用。
