HSSM3J331RLF_SOT-23_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：SOT-23 類別：場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:4.2A 參數(shù)2：電壓VDSS:20V 參數(shù)3：RDON:48mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款P溝道場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具備4.2A的最大漏極電流（ID/A），并能承受高達(dá)20V的漏源電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為48毫歐（mR），確保了在高頻率開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的低損耗性能。該MOSFET設(shè)計(jì)用于在不超過(guò)12V的柵源電壓（VGS/V）下操作，適用于各種需要緊湊且高效解決方案的場(chǎng)合，例如消費(fèi)電子設(shè)備中的電源管理或信號(hào)處理領(lǐng)域。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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