HSTL110N10F7_DFN5X6-8L_場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝:DFN5X6-8L 類別:場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數(shù)1:電流ID:75A 參數(shù)2:電壓VDSS:100V 參數(shù)3:RDON:7.3mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價(jià):歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)具有75A的連續(xù)漏極電流(ID/A),適用于要求較高的電流應(yīng)用場(chǎng)合。其最大工作電壓(VDSS/V)為100V,能夠承受較高電壓環(huán)境下的工作需求。導(dǎo)通電阻(RDSON/mR)僅為7.3毫歐,這意味著在導(dǎo)通狀態(tài)下其自身?yè)p耗較小,效率更高。柵源電壓(VGS/V)的最大值為20V,確保了有效的開關(guān)操作。此MOSFET適合用于需要高效能和可靠性的電路設(shè)計(jì)中,如電源管理、便攜式設(shè)備的電源開關(guān)等應(yīng)用場(chǎng)景。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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