HT2N7002BKLM_SOT-23_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.3A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1000mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道場效應管（MOSFET）設計用于要求高效率和低損耗的應用場合。其最大漏源電壓（VDSS）為60伏特，支持廣泛的電壓操作范圍；導通電阻（RDON）低至1000毫歐，有助于減少發熱并提高系統效率。該MOSFET的最大漏極電流（ID）可達0.3安培，在保證性能的同時，也提供了出色的熱穩定性。柵源電壓（VGS）范圍寬至20伏特，便于與多種控制電路配合使用。此元件適用于需要精確開關控制和高效能轉換的電路設計中。
