HT2N7002BKLM_SOT-23_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-23 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:0.3A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:1000mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）設(shè)計用于要求高效率和低損耗的應(yīng)用場合。其最大漏源電壓（VDSS）為60伏特，支持廣泛的電壓操作范圍；導(dǎo)通電阻（RDON）低至1000毫歐，有助于減少發(fā)熱并提高系統(tǒng)效率。該MOSFET的最大漏極電流（ID）可達0.3安培，在保證性能的同時，也提供了出色的熱穩(wěn)定性。柵源電壓（VGS）范圍寬至20伏特，便于與多種控制電路配合使用。此元件適用于需要精確開關(guān)控制和高效能轉(zhuǎn)換的電路設(shè)計中。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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