HNTJD5121NT1G_SOT-363_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：SOT-363 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：3000/圓盤 參數1：電流ID:0.1A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:1300mR 參數4：溝道類型:N+N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該N溝道增強型場效應管（MOSFET）設計用于精密控制場合，具備0.1A的漏極電流（ID），以及60V的最大漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDSON）為1300毫歐，在20V的柵源電壓（VGS）驅動下提供可靠的電流路徑。此MOSFET適用于需要精細調節電流強度的應用場景，例如電子玩具、智能家居組件或小型電子模塊中的信號放大與處理環節，能夠確保電路在高壓差下的穩定性和精確度。
