HIPD30N06S4L23_TO-252-2L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:30A 參數(shù)2：電壓VDSS:60V 參數(shù)3：RDON:22mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道場效應(yīng)管（MOSFET）的設(shè)計參數(shù)包括：最大連續(xù)電流30A（ID），漏源電壓承受能力為60V（VDSS）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）為22毫歐，有助于減少發(fā)熱和能量損失。該器件支持20V的柵源電壓（VGS），能夠確?？煽康拈_關(guān)性能。適用于各類電源管理方案，如DC/DC轉(zhuǎn)換器、便攜式設(shè)備充電電路等，可在保證高效能源利用的同時，提供穩(wěn)定的電流控制。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
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