HIPD25N06S4L30ATMA2_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:30A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:22mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道場效應管（MOSFET）具備30A的電流處理能力（ID），并支持最高60V的漏源電壓（VDSS），適用于多種高電流需求的應用場景。其導通電阻（RDSON）僅為22毫歐，在導通狀態下可顯著降低功耗，提高系統效率。柵源電壓（VGS）最大可達20V，便于實現有效的開關控制。該MOSFET適用于設計要求緊湊且高效的電源轉換電路及其他需要快速開關特性的應用中。
