HSISH101DNT1GE3_DFN3X3-8L_場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數(shù)1：電流ID:70A 參數(shù)2：電壓VDSS:30V 參數(shù)3：RDON:6.5mR 參數(shù)4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
本產(chǎn)品為P溝道場效應(yīng)管（MOSFET），具有70A的漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），適用于多種中高功率電源管理場景。導(dǎo)通電阻低至6.5mΩ（RDON），有助于減少導(dǎo)通損耗，提升整體能效。支持最高20V的柵源電壓（VGS），確保器件在復(fù)雜環(huán)境下穩(wěn)定工作。該MOSFET適用于電源轉(zhuǎn)換器、電池保護電路、負載開關(guān)以及各類高效節(jié)能的電子系統(tǒng)，提供高性能的功率控制能力。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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