HSISH101DNT1GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:DFN3X3-8L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:5000/圓盤 參數1:電流ID:70A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:6.5mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管(MOSFET),具有70A的漏極電流(ID)和30V的漏源電壓(VDSS),適用于多種中高功率電源管理場景。導通電阻低至6.5mΩ(RDON),有助于減少導通損耗,提升整體能效。支持最高20V的柵源電壓(VGS),確保器件在復雜環境下穩定工作。該MOSFET適用于電源轉換器、電池保護電路、負載開關以及各類高效節能的電子系統,提供高性能的功率控制能力。
