HSISH101DNT1GE3_DFN3X3-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN3X3-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:70A 參數2：電壓VDSS:30V 參數3：RDON:6.5mR 參數4：溝道類型:P 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
本產品為P溝道場效應管（MOSFET），具有70A的漏極電流（ID）和30V的漏源電壓（VDSS），適用于多種中高功率電源管理場景。導通電阻低至6.5mΩ（RDON），有助于減少導通損耗，提升整體能效。支持最高20V的柵源電壓（VGS），確保器件在復雜環境下穩定工作。該MOSFET適用于電源轉換器、電池保護電路、負載開關以及各類高效節能的電子系統，提供高性能的功率控制能力。
