HIPD068P03L3GATMA1_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-252-2L 類別:場效應管(MOSFET) 最小包裝:2500/圓盤 參數1:電流ID:80A 參數2:電壓VDSS:30V 參數3:RDON:5.5mR 參數4:溝道類型:P 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款P溝道場效應管(MOSFET)具有80A的最大連續漏極電流(ID),能夠在高達30V的漏源電壓(VDSS)下工作。其導通電阻(RDSON)僅為5.5毫歐,在25V的柵源電壓(VGS)驅動下能確保低功耗和高效率。這類器件適用于需要高效能電源管理的應用中,如消費電子產品中的開關電源轉換器及電池供電設備中的負載開關等。其緊湊的設計與優異的熱性能使其成為便攜式與空間受限應用的理想選擇。
