HBSC098N10NS5ATMA1_DFN5X6-8L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6-8L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：5000/圓盤 參數1：電流ID:80A 參數2：電壓VDSS:100V 參數3：RDON:6.4mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）擁有80A的最大漏極電流（ID），支持高達100V的漏源電壓（VDSS）。其導通電阻（RDSON）為6.4毫歐，在20V的柵源電壓（VGS）下操作，適合用于需要高效電力轉換的應用中。此MOSFET適用于各種電源管理解決方案，例如在消費電子產品的開關模式電源（SMPS）中作為功率級元件，或是在便攜設備中充當負載開關，確保了電路的可靠性和效率。其優良的電氣特性使其成為設計緊湊型高性能電子裝置的理想選擇。
