HNTD20N06LT4G_TO-252-2L_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-252-2L 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：2500/圓盤 參數1：電流ID:20A 參數2：電壓VDSS:60V 參數3：RDON:27mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道場效應管（MOSFET）具有20A的連續電流承載能力（ID），能夠在高達60V的漏源電壓（VDSS）下工作，確保了其在高功率密度應用中的可靠性。此元件擁有低至27毫歐的導通電阻（RDSON），有助于減少能量損耗，提升效率。柵源電壓（VGS）的最大額定值為20V，使得該器件易于驅動。適用于各種電源管理場合，如電源轉換與管理領域，能有效提高系統的整體性能。
