HSTB55NF06LT4_TO-263_場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-263 類別：場效應管(MOSFET) 最小包裝：800/圓盤 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:55V 參數3：RDON:9mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道MOSFET具備49A的連續排水電流（ID/A），其最大漏源電壓（VDSS）為55V，導通電阻（RDSON）低至9毫歐，在高功率密度設計中表現出色。器件支持最大±20V的柵源電壓（VGS），確保了良好的控制特性。其優異的電氣參數使其成為高性能開關電源、LED照明驅動以及電池供電設備等應用的理想選擇，能夠在減少能量損耗的同時提供穩定的電流控制。
