HE3M0045065K_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具備49A的連續電流能力（ID/A），最大漏源電壓可達650V（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON）為33毫歐，確保了在高電壓應用中維持較低的能量損耗。柵源電壓（VGS/V）支持從-5V到@0V的范圍，增強了使用的靈活性。這些特性使其非常適合應用于要求高效能與高頻率操作的電源轉換解決方案中，如便攜式電子產品充電設備或消費類電子產品中的電源管理系統。
