HIGLR60R260D1_DFN5X6E-8L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款氮化鎵晶體管（GaN HEMT）為N型設計，提供高達10A的導通電流（ID），并具備650V的最大漏源電壓（VDSS）。該器件的導通電阻（RDON）為160毫歐，能夠在高壓環(huán)境下保持較低的功耗。柵源電壓（VGS）的工作范圍為-1.4V到&V，適合用于多種電路設計中。其特性使其成為高頻開關(guān)電源、消費類電子產(chǎn)品中的電源轉(zhuǎn)換模塊以及便攜式設備充電解決方案的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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