HSCTWA35N65G2V_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:49A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:33mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款碳化硅場效應管(MOSFET)具有49A的最大連續漏極電流(ID),650V的斷態漏源電壓(VDSS),導通電阻(RDON)僅為33毫歐,支持-5至@0V的柵源電壓(VGS),屬于N溝道類型。其出色的電氣性能和可靠性,使之成為電源轉換、逆變器以及精密電子設備中高頻開關電源應用的理想選擇,能夠有效提升系統的效率和穩定性。
