HSCTWA35N65G2V_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款碳化硅場效應管（MOSFET）具有49A的最大連續漏極電流（ID），650V的斷態漏源電壓（VDSS），導通電阻（RDON）僅為33毫歐，支持-5至@0V的柵源電壓（VGS），屬于N溝道類型。其出色的電氣性能和可靠性，使之成為電源轉換、逆變器以及精密電子設備中高頻開關電源應用的理想選擇，能夠有效提升系統的效率和穩定性。
