HIGLR65R140D2_DFN5X6E-8L_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：DFN5X6E-8L 類(lèi)別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤(pán) 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）具有10安培的連續(xù)漏極電流(ID)能力和650伏特的漏源電壓(VDSS)，導(dǎo)通電阻僅為160毫歐姆(RDON)，能夠在高電壓下保持較低的功耗。其柵源電壓范圍從-1.4伏特到&伏特(VGS)，適用于N型電路設(shè)計(jì)。該器件以其優(yōu)異的開(kāi)關(guān)性能和低損耗特性，非常適合于高效電源轉(zhuǎn)換、消費(fèi)電子產(chǎn)品等需要快速響應(yīng)和高效率的應(yīng)用場(chǎng)合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話(huà)：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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