HGS0650111LTR_DFN8X8_氮化鎵晶體管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：DFN8X8 類別：氮化鎵晶體管(GaN HEMT) 最小包裝：2500/圓盤 參數(shù)1：電流ID:10A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:160mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）擁有650V的漏源電壓VDSS，導(dǎo)通電阻RDON為160mΩ，最大連續(xù)漏極電流ID可達(dá)10A。它支持-1.4V至&V的柵源電壓范圍，并且是N溝道類型。該器件適用于需要高效能和快速響應(yīng)的應(yīng)用場合，如消費(fèi)電子、電源管理和通信設(shè)備中，能夠提供出色的開關(guān)速度與較低的能量損耗，確保系統(tǒng)運(yùn)行更加穩(wěn)定可靠。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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