HNVH4L045N065SC1_TO-247-4L_碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽(yáng)電子) 封裝：TO-247-4L 類(lèi)別：碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:97A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：溝道類(lèi)型:N 標(biāo)價(jià)：歡迎咨詢(xún)
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產(chǎn)品介紹
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這款N溝道碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）具有97A的ID/A額定電流，適用于處理較大負(fù)載的應(yīng)用。其最大漏源電壓VDSS/V為650V，確保了在高壓環(huán)境下的可靠性。導(dǎo)通狀態(tài)下，該MOSFET的RDSON/mΩ僅為25毫歐，有助于減少能量損耗。工作柵源電壓VGS/V范圍是-5V到@0V，為電路設(shè)計(jì)提供了靈活性。此元件適合應(yīng)用于需要高效能電力轉(zhuǎn)換和精確控制的場(chǎng)合，如高性能計(jì)算設(shè)備中的電源管理系統(tǒng)或消費(fèi)電子產(chǎn)品內(nèi)的開(kāi)關(guān)模式電源。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽(yáng)電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號(hào)鼎誠(chéng)國(guó)際大廈2013-2014
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