HIMZA65R030M1HXKSA1_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:97A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:25mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
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這款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）屬于N溝道類型，具有97A的最大電流承載能力（ID/A），以及650V的最大漏源電壓（VDSS/V）。其導(dǎo)通電阻（RDSON）僅為25毫歐（mΩ），能夠在高電壓下保持較低的功耗。該MOSFET設(shè)計有±5至@0V的柵源電壓范圍（VGS/V），適用于需要高效率、高頻開關(guān)特性的應(yīng)用場合。其出色的電氣特性使其成為高性能電源轉(zhuǎn)換器及逆變電路的理想選擇。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
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