HIMW65R048M1H_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:49A 參數2:電壓VDSS:650V 參數3:RDON:33mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)具備穩健的電氣性能,連續導通電流ID可達49A,適用于多種高電流密度的設計。其最大漏源擊穿電壓VDSS為650V,確保了在高壓應用中的可靠性。該器件擁有較低的導通電阻RDSON,僅為33毫歐,有助于減少熱損耗,提高系統效率。柵源電壓VGS的閾值范圍是-5V至@0V,便于實現精確的開關控制。此MOSFET可廣泛應用于需要高效率及高可靠性的電子裝置中,如高頻開關電源和其他注重性能穩定性的解決方案。
