HIMW65R048M1H_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具備穩健的電氣性能，連續導通電流ID可達49A，適用于多種高電流密度的設計。其最大漏源擊穿電壓VDSS為650V，確保了在高壓應用中的可靠性。該器件擁有較低的導通電阻RDSON，僅為33毫歐，有助于減少熱損耗，提高系統效率。柵源電壓VGS的閾值范圍是-5V至@0V，便于實現精確的開關控制。此MOSFET可廣泛應用于需要高效率及高可靠性的電子裝置中，如高頻開關電源和其他注重性能穩定性的解決方案。
