HNVH4L025N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款碳化硅場效應管(MOSFET)采用N溝道設計，具備出色的電氣性能。其最大漏極電流可達120A，支持高達650V的漏源電壓，確保了在高功率場景下的可靠運行。導通電阻僅為15mΩ，有效降低能量損耗和發熱，提高系統效率。柵源電壓范圍為-15V至!5V，提供良好的驅動兼容性。該產品適用于需要高效能、低熱阻且能在高壓條件下工作的多種應用場景，如高性能電源轉換器或要求嚴格控制功耗的電子設備中。
