HNTH4L045N065SC1_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:49A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:33mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具備49A的額定電流（ID），650V的斷態(tài)漏源電壓（VDSS），極低的導(dǎo)通電阻（RDON）僅為33毫歐，支持-5至@0V的柵源電壓（VGS），是N溝道類型的高性能半導(dǎo)體器件。它在電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及精密電子設(shè)備中的高頻開關(guān)電源等應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越的效率和穩(wěn)定性，特別適合于需要高效能管理和控制的電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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