HNTH4L045N065SC1_TO-247-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247-4L 類別:碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數(shù)1:電流ID:49A 參數(shù)2:電壓VDSS:650V 參數(shù)3:RDON:33mR 參數(shù)4:溝道類型:N 標(biāo)價:歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)具備49A的額定電流(ID),650V的斷態(tài)漏源電壓(VDSS),極低的導(dǎo)通電阻(RDON)僅為33毫歐,支持-5至@0V的柵源電壓(VGS),是N溝道類型的高性能半導(dǎo)體器件。它在電源轉(zhuǎn)換、可再生能源系統(tǒng)及精密電子設(shè)備中的高頻開關(guān)電源等應(yīng)用中展現(xiàn)出卓越的效率和穩(wěn)定性,特別適合于需要高效能管理和控制的電路設(shè)計。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人:張婉儀
- 聯(lián)系電話:18929373249
- 聯(lián)系地址:深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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