HIMW120R220M1H_TO-247_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌:HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝:TO-247 類別:碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝:30/管裝 參數1:電流ID:17A 參數2:電壓VDSS:1200V 參數3:RDON:160mR 參數4:溝道類型:N 標價:歡迎咨詢
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產品介紹
此款碳化硅場效應管(MOSFET)具有N溝道結構,其連續導通電流(ID/A)為17A,能夠承受高達1200V(VDSS/V)的電壓。器件的導通電阻(RDSON/mR)為160毫歐,確保了在高電壓應用中的高效性能。該管子的柵源電壓(VGS/V)操作范圍是-4V至!8V,增強了其在不同電路設計中的適應性。適合用于需要高電壓隔離與快速開關特性的場合,如高頻逆變器、電信設備的電源管理及便攜式電子設備充電解決方案等。
