HIMZ120R030M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應(yīng)管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:63A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:32mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標(biāo)價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道碳化硅場效應(yīng)管（MOSFET）具有63A的連續(xù)電流ID/A，最高承受電壓VDSS/V為1200V，并擁有32毫歐的導(dǎo)通電阻RDSON/mΩ，柵源電壓VGS/V為±15V。憑借其卓越的電氣特性，此器件特別適合應(yīng)用于需要高電壓、大電流及低功耗的場合，例如高性能服務(wù)器電源模塊、復(fù)雜電子系統(tǒng)的開關(guān)電源以及便攜式儲能設(shè)備的充電電路，能夠在這些應(yīng)用中實現(xiàn)高效的能量轉(zhuǎn)換與管理。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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