HNVH4L040N120SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:78A 參數(shù)2：電壓VDSS:1200V 參數(shù)3：RDON:40mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）具有78A的漏極電流（ID）承載能力，以及高達1200V的漏源電壓（VDSS），展現(xiàn)了優(yōu)異的高壓處理性能。其導通電阻（RDSON）僅為40毫歐，有助于顯著降低能耗。柵源電壓（VGS）額定值為±18V，提供了可靠的驅(qū)動保障。該器件適用于追求高性能與低功耗的應用領域，在高頻逆變和其他需要堅固耐用且高效能元件的電路設計中尤為適用。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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