HTW083Z65C_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:29A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:60mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
此款碳化硅場效應管（MOSFET）屬于N溝道類型，擁有29安培的連續漏極電流（ID）和650伏特的漏源擊穿電壓（VDSS），適合于高壓環境下的應用。其導通電阻（RDON）低至60毫歐，有助于減少功率損耗，提高能效。柵源電壓（VGS）為15伏特，確保了器件的穩定驅動。該MOSFET適用于各種需要高效能、低損耗的電力轉換與控制系統，如電源供應器、逆變器等場合。
