HTW083Z65C_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數(shù)1：電流ID:29A 參數(shù)2：電壓VDSS:650V 參數(shù)3：RDON:60mR 參數(shù)4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產(chǎn)品介紹
此款碳化硅場效應管（MOSFET）屬于N溝道類型，擁有29安培的連續(xù)漏極電流（ID）和650伏特的漏源擊穿電壓（VDSS），適合于高壓環(huán)境下的應用。其導通電阻（RDON）低至60毫歐，有助于減少功率損耗，提高能效。柵源電壓（VGS）為15伏特，確保了器件的穩(wěn)定驅(qū)動。該MOSFET適用于各種需要高效能、低損耗的電力轉(zhuǎn)換與控制系統(tǒng)，如電源供應器、逆變器等場合。
企業(yè)聯(lián)系方式
- 深圳市華軒陽電子有限公司
- 聯(lián) 系 人：張婉儀
- 聯(lián)系電話：18929373249
- 聯(lián)系地址：深圳市福田區(qū)中航路7-1號鼎誠國際大廈2013-2014
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