HTW048Z65C_TO-247-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:49A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:33mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
這款N溝道碳化硅場效應管(MOSFET)具有49A的連續漏極電流(ID)能力和650V的漏源電壓(VDSS)，適用于需要高電壓處理能力的應用。其導通電阻為33mΩ(RDON)，有助于降低系統功耗并提高能效。柵源電壓范圍從-5V到@0V(VGS)，提供了良好的驅動兼容性和靈活性。該MOSFET適合應用于高效電源轉換、逆變器設計以及其他要求快速開關速度和可靠性能的電子設備中。
