HNTH4L025N065SC1_TO-247H-4L_碳化硅場效應管(MOSFET)_HXY MOSFET(華軒陽電子)
品牌：HXY MOSFET(華軒陽電子) 封裝：TO-247H-4L 類別：碳化硅場效應管(MOSFET) 最小包裝：30/管裝 參數1：電流ID:120A 參數2：電壓VDSS:650V 參數3：RDON:15mR 參數4：溝道類型:N 標價：歡迎咨詢
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產品介紹
該款N溝道碳化硅場效應管（MOSFET）擁有120A的連續漏極電流（ID/A），并且設計有650V的漏源擊穿電壓（VDSS/V）。其導通電阻（RDSON/mR）低至15毫歐姆，在15V的柵源電壓（VGS/V）下表現出色。憑借其低損耗特性，該MOSFET適用于高功率密度轉換應用，例如高性能的開關模式電源、不間斷電源系統等，能夠在高頻開關應用中實現高效能和熱穩定性，從而優化電力轉換效率。
